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英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用

来源:吴江区科技局发布时间:2023-11-20 15:01:47浏览量:字体:

11月20日英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地同时开展大规模量产化工程问题研究提升氮化镓材料与器件的整体竞争力

英诺赛科(苏州)半导体有限公司2017年落户汾湖高新区,总投资60亿元人民币,占地368.6亩,建筑面积16.9万平方米致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片研发和产业化,产品设计及性能均达到国际先进水平,是全球唯一同时实现高、低压氮化镓功率器件量产的企业英诺赛科2022年销售收入3.7亿元,研发投入1.35亿元,2023年前三季度研发投入7140万元,先后获评高新技术企业、江苏省独角兽企业、江苏省“专精特新”企业荣誉,在半导体业内获得“世界电子成就奖”、“中国芯”技术创新奖等荣誉,750项发明专利获得认定

本次启用的英诺赛科(苏州)全球研发中心建筑面积3.5万平方米,将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略性新兴产业”需求,重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件,致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台,包括芯片设计实验室、氮化镓外延材料实验室、芯片制造实验室、产品开发实验室、产品检测及可靠性分析实验室等。

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